性能特点
采用第6代IGBT硅片技术,损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低
硅片结温可高达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台
有条件接受客户定制
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200V)
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1700V)
| 电流 | NX-M | NX-L | |||
| CIB | 7单元 | 6单元 | 2单元 | 2单元 | |
| 50 | CM50RX-34S | CM50TX-34S | |||
| 75 | CM75RX-34S | CM75TX-34S | |||
| 100 | CM100TX-34S | ||||
| 150 | CM150DX-34S | ||||
| 200 | CM200DX-34S | ||||
| 300 | CM300DX-34S | ||||
| 400 | CM400DXL-34S | ||||
| 600 | CM600DXL-34S | ||||



