产品信息
高压IGBT模块 (HVIGBT)
第5代NF系列IGBT模块

性能特点

基板:有Cu和AlSiC两种
额定电压:从1700V到6500V
额定电流:从200A到2400A
绝缘电压:从4.0kVrms到10.2kVrms
H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到业界公认
N系列:采用 CSTBTTM硅片,进一步降低损耗,缩小体积
N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封装与H系列兼容
R系列:封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A;高短路鲁棒性设计;运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C;最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管:软恢复特性,保证良好的EMI性能

应用领域

牵引和大功率变频传动
电力传输
DC斩波器装置
HVIGBT模块 HVIGBT模块

HVIGBT Modules

VCES(V) 产品
代数
(基板
材料)
电路拓扑 Ic(A)
200 400 600 750 800 900 1000 1200 1500 1600 1800 2400
1700 G1
(Cu)
1

CM800HA
-34H
(60KB)
  CM1200HA
-34H
(48KB)
 
2

CM600DY
-34H
(49KB)
 
斩波单元 CM600E2Y
-34H
(49KB)
 
G3
(AlSiC)
1

  CM1200HC
-34H
(63KB)
  CM1600HC
-34H
(63KB)
CM1800HC
-34H
(65KB)
CM2400HC
-34H
(65KB)
2

CM800DZ
-34H
(702KB)
G4
(Cu)
2

CM800DZB
-34N
(91KB)
  CM1200DB
-34N
(59KB)
 
G4
(AlSiC)
1

  CM1200HCB
-34N
(94KB)
  CM1800HC
-34N
(57KB)
CM2400HC
-34N
(569KB)
CM1800HCB
-34N
(92KB)
CM2400HCB
-34N
(95KB)
2

  CM1200DC
-34N
(59KB)

CMH1200DC
-34S
(704KB)
 
斩波单元   CM1200E4C
-34N
(58KB)
 
2500 G1
(Cu)
1

CM800HA
-50H
(43KB)
  CM1200HA
-50H
(45KB)
 
2

CM400DY
-50H
(47KB)
G2
(Cu)
1

CM800HB
-50H
(47KB)
  CM1200HB
-50H
(51KB)
 
G3
(AlSiC)
1

  CM1200HC
-50H
(68KB)
 
3300 G1
(Cu)
1

CM800HA
-66H
(43KB)
  CM1200HA
-66H
(45KB)
 
2

CM400DY
-66H
(45KB)
斩波单元 CM800E2Z
-66H
(51KB)
G2
(Cu)
1

CM800
HB
-66H
(47KB)
  CM1200HB
-66H
(51KB)
 
G3
(AlSiC)
1

CM800HC
-66H
(65KB)
CM1000HC
-66R
(528KB)
CM1200HC
-66H
(68KB)
CM1500HC-66R
( 423KB )
斩波单元 CM800E2C
-66H
(51KB)
CM800E4C
-66H
CM1000E4C-66R
( 440KB )
CM800E6C
-66H
(67KB)
G4
(AlSiC)
1

CM400HG
-66H
(89KB)
CM800HG
-66H
  CM1200HG
-66H
(95KB)
CM1500HG
-66R
( 574KB)
4500 G2
(Cu)
1

CM400HB
-90H
(58KB)
CM600HB
-90H
(60KB)
  CM900HB
-90H
(64KB)
G3
(AlSiC)
1

CM800HC
-90R
( 334KB)
CM900HC
-90H
(86KB)
CM1200HC
-90R
(433KB)
G4
(AlSiC)
1

CM600HG
-90H
(97KB)
  CM900HG
-90H
(95KB)
CM1200HG
-90R
( 743KB)
 
6500 G4
(AlSiC)
1

CM200HG
-130H
(100KB)
CM400HG
-130H
CM600HG
-130H
(106KB)
CM750HG-130R
( 284KB)
CM1000hg-130xa
( 801KB)
斩波单元 CM400E2G
-130H
CM400E4G
-130H