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三菱电机出席中国电工技术学会电力电子学会第十五届学术年会 [2016/10/24]

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谁说在大明湖畔只会邂逅知书达理的夏雨荷?今年的大明湖,你还可以邂逅电力电子技术领域的专业精英们!10月21日至23日,由中国电工技术学会电力电子学会主办,山东大学承办,三菱电机和富士电机等公司联合赞助的中国电工技术学会电力电子学会第十五届学术年会在泉城济南隆重举行。今年的学术年会共吸引300多位行业精英和专家学者齐聚一堂,共襄盛举。
说起来,两年一届的学术年会,早已成为全国各地的电力电子学界代表和企业界代表互动交流的平台。也正是因为有这样良好的交流平台存在,才得以让更多专家学者和莘莘学子听到来自业界的声音,从而更好地推动了中国电力电子学科和产业的联动协调发展。
 
(三菱电机半导体大中国区技术总监宋高升先生)
 
三菱电机半导体大中国区技术总监宋高升先生就在本次大会上发表了名为“功率模块技术的最新进展”的专题演讲,现场反响热烈。宋高升先生以功率器件应用概况为切入点进行展开,依次向到场观众分享了IGBT芯片技术、Diode芯片技术以及SiC MOSFET芯片技术的发展进步。而对于大家最关心的问题:三菱电机的功率模块产品在设计中到底运用了哪些最新技术呢?专业出身的宋高升先生也在他的报告中给出了较为详尽的解答。比如:在工业应用领域,三菱电机第7IGBT模块和第7IPM通过运用第7IGBT芯片技术和RFC二极管芯片技术,进一步降低了通态损耗,而在业界关注的热循环寿命方面,更因采用一体化封装(SLC)技术获得了大幅提升;白色家电领域,RC-IGBT芯片技术正在推动IPMDIPIPM不断小型化,同时,集成度最高的DIPIPM+也为小功率交流传动逆变器的设计提供新思路;电动汽车领域,三菱电机J1系列EV-PM通过IGBT芯片级的温度及电流传感进一步保证了高可靠性。最后,针对当下的潮流热点SiC,宋高升先生简单列举了4项三菱电机模块的应用案例,并表示,虽然Full-SiC功率模块在三菱电机社内企业已经得到商业应用,但还是期待今后可以改进制造工艺来进一步降低成本,最终在更多市场普及。